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【800～1300万円】エピプロセスエンジニア
| Hiring Company | 日本ルメンタム株式会社 |
| Location | Kanagawa Prefecture |
| Job Type | Permanent Full-time |
| Salary | 8 million yen ~ 13 million yen |
Job Description
【求人No NJB2246389】
InP系光半導体デバイス製造における結晶成長（Epitaxy）プロセスの開発・改善・生産技術業務全般を担当します。
MOCVD装置を中心とした結晶成長条件の最適化、歩留まり向上、装置能力向上など、開発と量産の両軸でプロセスをリードしていただきます。
主な業務内容：
・MOCVDによるInP系化合物半導体エピ層の成膜・評価・改善業務
・結晶品質評価（XRD、PL、AFM、SEM、TEM等）に基づく工程最適化
・成膜条件（温度・圧力・V/III比・キャリアガス流量等）の制御と再現性確保
・歩留まり改善／成長不具合解析（層厚ムラ・組成偏差・欠陥発生メカニズム解明）
・結晶成長工程における新装置導入・能力改善プロジェクトの推進
・光デバイス設計／プロセス統括部門との連携による新製品向けエピ構造設計支援
General Requirements
| Minimum Experience Level | No experience |
| Career Level | Mid Career |
| Minimum English Level | Business Level |
| Minimum Japanese Level | Native |
| Minimum Education Level | Bachelor's Degree |
| Visa Status | Permission to work in Japan required |
Required Skills
■必須
・化合物半導体（InP系、GaAs系等）を用いた結晶成長（Epitaxy）または関連工程経験
・結晶評価手法（XRD／PL／SEM／AFMなど）の実務理解
・工程改善・歩留まり改善・異常解析などの生産技術経験（2年以上／修士卒1年以上）
・設備メーカー／装置技術者との技術折衝スキル
・英語での資料作成・メールコミュニケーション対応力（PPT／会議含む）
■歓迎
・MOCVD経験者（MOVPE装置立ち上げ、レシピ設計、保守・校正対応経験）
・MBE（分子線エピタキシ）プロセス経験
・結晶シミュレーションや温度・ガス流動解析等のモデリングスキル
・PythonやMATLAB等によるデータ解析・制御最適化スクリプト開発スキル
・プロセス改善・装置導入などのリーダー経験
Job Location
- Kanagawa Prefecture
Work Conditions
| Job Type | Permanent Full-time |
| Salary | 8 million yen ~ 13 million yen |
| Work Hours | 09:00 ～ 17:30 |
| Holidays | 【有給休暇】初年度 22日 4か月目から 【休日】完全週休二日制 祝日 リフレッシュ休暇、育児・介護休暇、バースデー休暇 有給… |
| Industry | Electronics, Semiconductor |
Job Category
- Electronics and Semiconductor Technology Jobs > Design, Development Engineer Jobs
- Electronics and Semiconductor Technology Jobs > Production Engineering (Electronics and Semiconductor Technology) Jobs
Company Details
| Company Type | International Company |
