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【1000～2000万円】Power Device Design Senior Engineer
| Hiring Company | 外資系デバイスメーカー |
| Location | Osaka Prefecture |
| Job Type | Permanent Full-time |
| Salary | 10 million yen ~ 20 million yen |
Job Description
【求人No NJB2224778】
・高性能パワーデバイス（SiC MOSFET/SBD、GaN HEMT、Si IGBT）のデザイン開発とテスト検証を担当し、プロセスチームと協力してデバイス加工とプロセスの最適化を行う。
・高性能パワーデバイス（SiC MOSFET/SBD、GaN HEMT、Si IGBT）の個別技術をフォローアップし、既存のデバイスの性能を向上させ、パテントポートフォリオを提案して実現させる。
General Requirements
| Minimum Experience Level | No experience |
| Career Level | Mid Career |
| Minimum English Level | Business Level |
| Minimum Japanese Level | Native |
| Minimum Education Level | Bachelor's Degree |
| Visa Status | Permission to work in Japan required |
Required Skills
必須要件 ・半導体/電子/物理などの関連分野を専攻し、5年以上のパワーデバイスのデザイン開発経験（直近の3年間には関連のデザイン開発の従事が必須）、または優秀な博士課程の新卒者。 ・パワーデバイス（SiC MOSFET/SBD、GaN HEMT、Si IGBT）の基本構造とデバイスシミュレーションデザイン方法に精通し、TCADソフトやレイアウトソフトを使用しデバイスデザインが得意な方。 ・良好なコミュニケーション能力があり、異なる地域や異なる文化背景のチームと良好なコミュニケーションがとれる方。Job Location
- Osaka Prefecture
Work Conditions
| Job Type | Permanent Full-time |
| Salary | 10 million yen ~ 20 million yen |
| Work Hours | 09:00 ～ 18:00 |
| Holidays | 【有給休暇】有給休暇は入社後4ヶ月目から付与されます 初年度 14日 4か月目から 【休日】完全週休二日制 土 日 夏季休暇 … |
| Industry | Communication |
Job Category
- Electronics and Semiconductor Technology > Design, Development Engineer
Company Details
| Company Type | International Company |
