【1000～2000万円】★華為★【大阪/横浜研究所/中国】高周波デバイス設計、プロセスエキスパート

【求人No NJB2164411】
ご経験に応じ、提案します。

■高周波 デバイス　 Design Expert
・GaN/SiC 高周波デバイスデザイン/モデリング、回路アプリケーション、デバイスの信頼性と失効解析を担当する。
・プロジェクトマネージャーに協力し、新製品の導入、量産目標の達成を助力する。
・カスタマイズデバイスの重要性能のスペック制定及び測定評価を担当し、デバイスシミュレーションとモデルの関連問題を解決する。
・GaN/SiC RFデバイスの先進技術のプレリサーチと技術路線を主導し、本社と連携して技術ロードマップを制定し、持続的な技術ブレイクスルーによって、鉄壁の技術を実現する。

■高周波デバイスプロセスエキスパート
・GaN/SiC 高周波デバイスのデバイスプロセス研究開発及びプロセス導入等を担当し、プロセスと材料の潜在リスクを特定し、解決策を講じる。
・デザインチームと連携をとり、デバイスの構造デザインと要求に基づいて、プロセスのリスク評価と加工の実行を担当し、プロセスの角度からデバイス性能の最適化案を出す。
・先進プロセスを新製品への導入、製品の量産目標の達成を主導する。