【C 4】半導体成膜装置の機械設計（機構設計、構造設計）

【求人No NJB2122541】
■■Position　ご参考■■
ニューフレアテクノロジー社へご興味お持ち頂けるのであれば、お電話にて口頭でポジションについてご説明をさせて頂きます。


【業務内容】
〇半導体製造装置（エピタキシャル成長装置）の機械設計を担当していただきます。
・装置の仕様取りまとめ、レイアウト検討作業
・装置開発設計
└機構設計、構造設計、筐体設計、部品設計、設計したものの組立て、評価も含む
└コア技術の部分以外の設計は外注しており、外注先への説明と
　出来上がったものに対しての評価も含む
・顧客への対応（トラブル対応含む）

【使用するツール】
2D　AutoCAD、3D　solidworks

・組織構成：
約50名（サービス技術グループ、研究開発グループ、設計グループの3グループで構成）
組織の約半数がキャリア入社の従業員のため、安心してご入社いただけます
20代～50代と幅広い世代で構成されている組織です
いいものを作るためであれば新しいチャレンジをすることを推奨する風土で、
また高い技術力を維持するために高い開発費用を用意しております。

【働き方】
・部署の平均残業時間：約20時間／月
・リモートワーク：有　（週に約1～2日在宅勤務）

【職場の魅力】
〇エピタキシャル成長製造装置の特徴・強み
電気自動車で使用される充電器や、通信技術の5G、6Gなどの基地局は
エピタキシャル成長装置で製造されるパワー半導体がなければ
急速充電あるいは高速通信ができず、また省エネ、脱炭素推進が可能なものとして注目をされております。

当社エピタキシャル成長装置は下記コア技術によって高品質な
エピタキシャル成長層の形成を可能としております。

（１）ウェーハの高速回転による高速かつ均一性の高い成膜
（２）緻密に設計された垂直方向のガスフローによる均一なガス濃度分布
（３）高精度な面状ヒーターに非接触で配置することで高い温度均一性と高速昇降温特性

特に（１）高速回転エピという技術が他社装置にはない独自の強みで、
このコア技術により他社を凌駕する性能を出すことに成功しております
最先端かつ技術の高さで競合他社と差別化ができたため、
海外の世界的に有名なメーカーや非常に入手困難な8インチSiCを
製造しているメーカーからの注文も増えております。
そのため当社として注力しているかつ、拡大フェーズの製品でシェアを伸ばす一員として関わることが可能です。

また機械設計のエンジニアとして機械だけではなく材料工学・物性、真空、物理など
高度知識が必要となる製品のため、高い技術力を持ったエンジニアに成長することが可能です。