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化合物半導体の製品開発・プロセス開発エンジニア（GaNパワー）
| Hiring Company | 東芝デバイス ストレージ株式会社 |
| Location | Hyogo Prefecture |
| Job Type | Permanent Full-time |
| Salary | 4.5 million yen ~ 10 million yen |
Job Description
【求人No NJB2116636】
【業務内容】
化合物 パワーデバイス（主にGaN）の製品開発・デバイス設計・プロセス・エピ技術開発
【参考リンク】
・スペシャルインタビュー～あなたのキャリアが世界を変える～
https://toshiba.semicon storage.com/jp/company/recruit/work/message_special.html
・パワー半導体技術広告
https://www.youtube.com/watch?v=11SWvEWe4lQ
General Requirements
| Minimum Experience Level | No experience |
| Career Level | Mid Career |
| Minimum English Level | Daily Conversation |
| Minimum Japanese Level | Native |
| Minimum Education Level | Bachelor's Degree |
| Visa Status | Permission to work in Japan required |
Required Skills
【必須】 ・デバイス設計／プロセス技術／生産技術／歩留改善／パッケージ技術／材料開発／品質保証／評価・解析／製品テスト（いずれかの経験） 【尚可】 （１）デバイス開発（川崎） ・ディスクリート半導体デバイス開発業務の経験のある方。特に化合物半導体に関する知識をお持ちの方は歓迎します ・TCADシミュレーションに関する知識をお持ちの方 （２）プロセス開発（姫路／川崎） ・半導体のプロセス・インテグレーション開発に従事した経験をお持ちの方 ・半導体ウェハー、エピプロセス、装置開発に従事した経験をお持ちの方 ※（）内は想定勤務地 ※上記の必須・尚可条件は担当～課長クラス共通の要件となります。Job Location
- Hyogo Prefecture
Work Conditions
| Job Type | Permanent Full-time |
| Salary | 4.5 million yen ~ 10 million yen |
| Work Hours | 08:30 ～ 17:15 |
| Holidays | 【有給休暇】入社7ヶ月目には最低10日以上 ※初年度は入社月によって変動。半日取得可、最大24日付与、繰越制度あり。 【休日】… |
| Industry | Electronics, Semiconductor |
Job Category
- Machinery and Automobile Technology > Architect, Development Engineer
- Electronics and Semiconductor Technology > Design, Development Engineer
- Electronics and Semiconductor Technology > Production Engineering (Electronics and Semiconductor Technology)
