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化合物半導体の製品開発・プロセス開発エンジニア（SiC）
| Hiring Company | 東芝デバイス ストレージ株式会社 |
| Location | Hyogo Prefecture |
| Job Type | Permanent Full-time |
| Salary | 4.5 million yen ~ 10 million yen |
Job Description
【求人No NJB2116632】
【業務内容】
パワーデバイス（主にSiC）の製品開発・デバイス設計・プロセス・エピ技術・装置開発
■製品開発
・デバイス設計・シミュレーション（TCAD）
・試作・性能評価・解析
・量産立上業務
■プロセス開発
・SiCデバイスのプロセスインテグレーション
・SiCデバイスのユニットプロセス開発
・SiCのエピプロセス 装置開発
【参考リンク】
・スペシャルインタビュー～あなたのキャリアが世界を変える～
https://toshiba.semicon storage.com/jp/company/recruit/work/message_special.html
・パワー半導体技術広告
https://www.youtube.com/watch?v=11SWvEWe4lQ
General Requirements
| Minimum Experience Level | No experience |
| Career Level | Mid Career |
| Minimum English Level | Daily Conversation |
| Minimum Japanese Level | Native |
| Minimum Education Level | Bachelor's Degree |
| Visa Status | Permission to work in Japan required |
Required Skills
【必須】 ・製品開発／プロセス開発／生産技術／歩留改善／パッケージ技術／材料開発／品質保証／評価・解析／製品テスト（いずれかの経験） ・デバイス開発は、パワーデバイス（SiC等）のチップ設計、開発に従事された経験のある方 【尚可】 （１）デバイス開発 ・TCADシミュレーションに関する知識をお持ちの方 （２）プロセス開発 ・半導体デバイスメーカでプロセスインテグレーション、あるいはユニットプロセス開発に従事された経験のある方 ・半導体製造装置メーカで装置開発、あるいはプロセス開発に従事された経験のある方 ・半導体ウェハメーカでプロセス開発（特にエピタキシャル成長プロセス）または装置開発に従事された経験のある方Job Location
- Hyogo Prefecture
Work Conditions
| Job Type | Permanent Full-time |
| Salary | 4.5 million yen ~ 10 million yen |
| Work Hours | 08:30 ～ 17:15 |
| Holidays | 【有給休暇】入社7ヶ月目には最低10日以上 ※初年度は入社月によって変動。半日取得可、最大24日付与、繰越制度あり。 【休日】… |
| Industry | Electronics, Semiconductor |
Job Category
- Machinery and Automobile Technology > Architect, Development Engineer
- Electronics and Semiconductor Technology > Design, Development Engineer
- Electronics and Semiconductor Technology > Production Engineering (Electronics and Semiconductor Technology)
