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ディスクリート半導体の製品開発エンジニア
| Hiring Company | 大手半導体メーカー |
| Location | Fukuoka Prefecture |
| Job Type | Permanent Full-time |
| Salary | 4.5 million yen ~ 10 million yen |
Job Description
【求人No NJB2071705】
■業務内容
ディスクリート半導体（パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、アイソレーションデバイス・半導体リレー）に関する、
・デバイス設計・シミュレーション（TCAD）
・試作・性能評価・解析
・量産立上業務
対象デバイスは次のとおり
（１）IGBT、ダイオード、パワーモジュール（兵庫県揖保郡太子町／石川県能美市）
（２）アイソレーションデバイス・半導体リレー（福岡県豊前市）
（３）パワーMOSFET（石川県能美市）
（４）小信号デバイス。特にMOSFET（兵庫県揖保郡太子町）
（５）小信号デバイス。特に汎用小型IC（神奈川県川崎市） ※（）内は想定勤務地
General Requirements
| Minimum Experience Level | No experience |
| Career Level | Mid Career |
| Minimum English Level | Daily Conversation |
| Minimum Japanese Level | Native |
| Minimum Education Level | Bachelor's Degree |
| Visa Status | Permission to work in Japan required |
Required Skills
【必須】 ・デバイス設計／プロセス技術／生産技術／歩留改善／パッケージ技術／材料開発／品質保証／評価・解析／製品テストいずれかの経験がある方 【尚可】 ・ディスクリート半導体デバイス開発業務の経験のある方 ・以下のディスクリート半導体デバイス開発業務の経験のある方 （１）IGBT、ダイオード、パワーモジュール （２）アイソレーションデバイス・半導体リレー （３）パワーMOSFET （４）小信号デバイス。特にMOSFET （５）小信号デバイス。特に汎用小型IC ・半導体デバイスに関する知識をお持ちの方 ・TCADシミュレーションに関する知識をお持ちの方 ※上記、必須・尚可要件はスタッフ～課長クラス共通の要件となります。Job Location
- Fukuoka Prefecture
Work Conditions
| Job Type | Permanent Full-time |
| Salary | 4.5 million yen ~ 10 million yen |
| Work Hours | 08:30 ～ 17:15 |
| Holidays | 【有給休暇】初年度 18日 1か月目から 【休日】完全週休二日制 土 日 祝日 夏季休暇 年末年始 慶弔休暇、災害休暇など ※… |
| Industry | Electronics, Semiconductor |
Job Category
- Machinery and Automobile Technology > Architect, Development Engineer
- Electronics and Semiconductor Technology > Design, Development Engineer
- Electronics and Semiconductor Technology > Production Engineering (Electronics and Semiconductor Technology)
