超高速MRAMにおけるリードエンジニア/世界初トポロジカル物質スタートアップ

★アピールポイント

• 東京大学発の世界初トポロジカル物質スタートアップ。 世界的権威中辻教授の研究成果を社会実装。 
• 東大院卒マッキンゼー出身の連続起業家とともに、 超高速MRAM事業のリードエンジニアとして事業立上げの経験が可能。

当社はトポロジカル物質を世の中に実装し、 その物性を活かしたな製品/サービスを通じて社会の高度化/効率化を 目指しています。 そんな当社で超高速・ 超高集積MRAMのプロセス開発をご担当いただきます。 

【詳細】
東京大学で研究開発されているトポロジカル物質の異常ホール効果を用いたMRAM素子、 デバイス、 スペ シャルティメモリ等の製品の研究開発及び特許ポートフォリオ構築を行い、 半導体メモリ企業との提携を通じて、 自社メモリ製品の社会への実装、 サービスの創出を行っていただきます。 

【採用人数】１名

【面接回数】３回（筆記試驗:無 ）
 

【必須】

• 半導体プロセス工程、品質への理解 
• 半導体プロセス開発 (部分工程)の経験 
• シリコンテストパターン作成の経験プロセス工程での装置使用経験 

【歓迎】

• MRAMプロセス開発経験 

【雇用形態】契約社員(期間の定め:有) 
　　　　　　期間：3ヶ月~12ヶ月 
　　　　　　更新: 有 

【年収】600万円~800万円 
　　　　年俸制(分割回数12回) 
　　　　年俸6,000,000円~8,000,000円 
　　　　年俸¥6,000,000~基本給¥500,000~を含む/月 

【勤務地】東京都文京区 
　　　　　東京メトロ千代田線根津駅 
　　　　　東京メトロ丸ノ内線本郷三丁目駅 東京メトロ南北線東大前駅 
　　　　　屋内禁煙(屋内喫煙可能場所あり) 
　　　　　​​​​​​​東京大学本郷キャンパス近郊

【勤務時間】フレックスタイム制 (コアタイム : 無) 
　　　　　　所定労働時間 ：08時間00分 休憩60分 
​​​​​​​　　　　　　残業：有
​​​​​​​　　　　　　残業手当 ：有　残業時間に応じて別途支給 

【休日休暇】年間120日： (内訳) 完全週休二日制 土曜 祝日
　　　　　　有給休暇 ：入社半年経過時点10日 最高付与日数20日

【手当/福利厚生】健康保険・厚生年金・雇用保険・労災保険
　　　　　　　　  通勤手当：会社規定に基づき支給 
　　　　　　　　  残業手当 ：有　残業時間に応じて別途支給