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求人ID : 1617945
更新日 :
2026年10月15日
住友電気工業株式会社での募集です。
電子デバイス研究開発のご経験のある方は歓迎…
【山梨または横浜】光ファイバ通信用半導体レーザ開発業務
| 採用企業 | 住友電気工業株式会社 |
| 勤務地 | 山梨県 |
| 雇用形態 | 正社員 |
| 給与 | 550万円 ~ 900万円 |
募集要項
【求人No NJB2371658】
（１）職務内容
半導体レーザ（主にDFBレーザ）および半導体光アンプの構造設計、
評価、結晶成長、プロセス技術開発
（２）具体的にお任せする業務
顧客要求に基づいた半導体レーザの構造設計、プロセス技術開発の他、開発業務に付随する他部門との試作や評価の調整、将来に向けた要素技術開発
応募必要条件
| 職務経験 | 無し |
| キャリアレベル | 中途経験者レベル |
| 英語レベル | ビジネス会話レベル |
| 日本語レベル | ネイティブ |
| 最終学歴 | 大学卒： 学士号 |
| 現在のビザ | 日本での就労許可が必要です |
スキル・資格
（１）応募資格（資格/専門知識/能力） ※必須要件
・半導体レーザ設計従事経験
・半導体レーザの結晶成長、プロセス技術開発従事経験
・光変調器、光パッシブデバイス開発従事経験
（２）語学力（英語/その他言語等）
・TOEIC550点以上
・中国語が堪能な方
（３）以下の経験を・技術をお持ちの方を歓迎します
・化合物半導体デバイスの設計およびプロセス技術開発の経験
・高周波回路設計の経験
・半導体デバイスの信頼性評価の経験
・データ分析による半導体デバイス不良解析の経験
・半導体デバイス評価装置開発の経験
勤務地
- 山梨県
労働条件
| 雇用形態 | 正社員 |
| 給与 | 550万円 ~ 900万円 |
| 勤務時間 | 08:30 ～ 17:15 |
| 休日・休暇 | 【有給休暇】有給休暇は入社時から付与されます 入社7ヶ月目には最低10日以上 休日： 年間休日120日以上（完全週休2日制、年… |
| 業種 | 電気・電子・半導体 |
