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採用企業 | 大手半導体メーカー |
勤務地 | 福岡県 |
雇用形態 | 正社員 |
給与 | 450万円 ~ 1000万円 |
【求人No NJB2071705】
■業務内容
ディスクリート半導体(パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、アイソレーションデバイス・半導体リレー)に関する、
・デバイス設計・シミュレーション(TCAD)
・試作・性能評価・解析
・量産立上業務
対象デバイスは次のとおり
(1)IGBT、ダイオード、パワーモジュール(兵庫県揖保郡太子町/石川県能美市)
(2)アイソレーションデバイス・半導体リレー(福岡県豊前市)
(3)パワーMOSFET(石川県能美市)
(4)小信号デバイス。特にMOSFET(兵庫県揖保郡太子町)
(5)小信号デバイス。特に汎用小型IC(神奈川県川崎市) ※()内は想定勤務地
職務経験 | 無し |
キャリアレベル | 中途経験者レベル |
英語レベル | 日常会話レベル |
日本語レベル | ネイティブ |
最終学歴 | 大学卒: 学士号 |
現在のビザ | 日本での就労許可が必要です |
雇用形態 | 正社員 |
給与 | 450万円 ~ 1000万円 |
勤務時間 | 08:30 ~ 17:15 |
休日・休暇 | 【有給休暇】初年度 18日 1か月目から 【休日】完全週休二日制 土 日 祝日 夏季休暇 年末年始 慶弔休暇、災害休暇など ※… |
業種 | 電気・電子・半導体 |