【勤務地：筑波／牛久　最大手化学会社　次世代パワー半導体GaNの結晶成長開発担当者（リーダー、セクションリーダー候補）】

当社独自のGaN（窒化ガリウム）単結晶基板製造技術「SCAAT-LP（低圧酸性アモノサーマル法）」のリーダーとして、の液相法による結晶成長技術開発をリードしていただきます。
SCAATは、高温高圧の超臨界アンモニア中で結晶を成長させる液相成長法で、低欠陥・高品質なGaN基板を実現できる技術です。共同開発先の設備メーカーや国内外の会社、大学、研究機関とも連携しながら、量産化に向けた技術課題の解決を推進いただきます。

具体的には、以下業務項目を担当いただきます。

＜担当業務項目＞
・液相成長（SCAAT）による化合物半導体単結晶基板の技術開発、および開発テーマの推進
（ご経験に応じてご依頼する業務）
　・チームメンバーの業務管理と育成
　・共同開発先との技術協議・調整

＜ミッションテーマ例＞
・欠陥密度の低減、不純物の低減　
・成長速度の制御、生産性・歩留まりの改善　
・大口径化（6～8インチ）に向けた技術開発
・安定製造技術の確立と製造部門への技術移管

【必須条件】
・専攻：結晶成長、結晶工学、無機材料合成、生産技術、分析・物性いずれか
・結晶成長（バルク単結晶・エピタキシャル成長など、手法・材料は問わない）に関する研究開発または生産技術の実務経験（5年以上）
・その他：研究開発テーマまたはプロジェクトを中心となって推進した経験

【歓迎要件】
・学歴：博士号
・結晶工学に関する分野の博士号、またはそれに準ずる結晶工学分野での学術経験(大学での研究テーマ、留学経験）を有すること。
・半導体基板・化合物半導体・単結晶材料メーカーでの就業経験（3年以上）
・半導体基板の成長技術開発経験、結晶成長、結晶工学、無機材料合成、生産技術、分析・物性のいずれかの分野の研究開発経験、ソルボサーマル法による単結晶成長技術で複数の量産立ち上げ実績。
・化合物半導体事業、電子デバイス事業の基本的な理解。半導体基板メーカー経験者、SiC基板成長経験者歓迎。
・語学力：英語