求人ID : 864883 更新日 : 2019年07月12日
LSI・IC・メモリ設計のご経験がある方を求めています

エンジニア【大船勤務】

採用企業 サンディスク株式会社
勤務地 神奈川県
勤務形態 正社員
給与 600万円 ~ 1000万円

募集要項

【求人No NJB1026443】
<デザインエンジニア>
・NAND型フラッシュメモリの開発、及び、回路設計(特にロジック回路の設計及び検証)
・マイクロプロービング、メモリテスタによる、評価・回路デバッグ
・次世代品のアーキテクチュア開発及び評価
・共同開発パートナーとUS本社とのインターフェース

<レイアウトエンジニア>
NAND型フラッシュメモリの主にTEGレイアウト設計業務に携わっていただきます。
具体的には、米国又は日本のデバイス設計チーム、米国のレイアウトチームと情報の交換、進捗の確認などのコミュニケーションを取りながら、開発計画に沿って、各種デバイス測定TEGブロックをマニュアルでレイアウト設計し、その検証を担当していただきます。
プロダクトチップのレイアウト設計に携わっていただく場合もあります。

<デバイスエンジニア>
3D NANDの製品・技術開発。主に四日市の開発ラインで作られたウェハのメモリセル、およびそれを駆動する周辺回路やトランジスタを電気的に測定・解析し、プロセス開発、製品の性能・信頼性を向上のための技術開発を行う。その他、プロセス開発初期段階のマスク作成や、設計チームと一緒にデザインルールの設定を担当する業務もこのカテゴリに含まれる。国内、海外他拠点を含むプロセス、テスト、設計等のチームやJVパートナーとも仕事を分担して、共同で開発を行う。

<テストエンジニア>
メモリテスタでのテスト・プログラムの開発、設計回路のデバックやデバイスパフォーマンスの解析、歩留まり改善、 量産テスト工程の構築およびスループットの向上を担当していただきます。

応募必要条件

職務経験 無し
キャリアレベル 中途経験者レベル
英語レベル 日常会話レベル
日本語レベル ネイティブ
最終学歴 大学卒: 学士号
現在のビザ 日本での就労許可が必要です

スキル・資格

<デザインエンジニア> ・理工系修士又は学部卒以上。 ・不揮発性メモリ分野での業務経験優遇。 ・量産レベルの製品開発経験者優遇。 ・HSPICE HSIM Verilog Opusなどの設計ツール経験必須。 ・ジョイントベンチャーの経験者優遇。 <レイアウトエンジニア> ・半導体のデバイス測定TEGレイアウト設計経験を有する方 ・アナログ回路のレイアウト設計知識を有する方 ・基礎的な英語力  使用ツール ・Synopsys社のHERCULES ・Mentor Graphics社のCalibre ・Cadence社 Virtuoso <デバイスエンジニア> ■電気電子工学、物理学、材料工学を履修者、 もしくは数年の半導体プロセス/デバイス/回路設計の経験があること。 メモリプロセス/デバイス(フラッシュ、EEPROM、DRAM、SRAM)に関する深い知識と経験 <テストエンジニア> ・C言語でのプログラミング経験 ・基礎的な英語力 ~歓迎条件~ ・アセンブラ言語でのプログラミング経験 ・メモリ・テスタでのプログラム開発経験 ・半導体製造会社、或いは半導体測定装置製造会社でのご経験 ・データ解析ツールの使用経験(JMP S言語、Spotfireなど) ・工場でのテスト業務経験 ・組み込みシステム開発経験 ・SE業務経験

勤務地

  • 神奈川県

労働条件

勤務形態 正社員
給与 600万円 ~ 1000万円
勤務時間 08:30 ~ 17:15
休日・休暇 完全週休二日制 年末年始

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