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| 採用企業 | 日本ルメンタム株式会社 |
| 勤務地 | 神奈川県 |
| 雇用形態 | 正社員 |
| 給与 | 800万円 ~ 1300万円 |
【求人No NJB2246389】
InP系光半導体デバイス製造における結晶成長(Epitaxy)プロセスの開発・改善・生産技術業務全般を担当します。
MOCVD装置を中心とした結晶成長条件の最適化、歩留まり向上、装置能力向上など、開発と量産の両軸でプロセスをリードしていただきます。
主な業務内容:
・MOCVDによるInP系化合物半導体エピ層の成膜・評価・改善業務
・結晶品質評価(XRD、PL、AFM、SEM、TEM等)に基づく工程最適化
・成膜条件(温度・圧力・V/III比・キャリアガス流量等)の制御と再現性確保
・歩留まり改善/成長不具合解析(層厚ムラ・組成偏差・欠陥発生メカニズム解明)
・結晶成長工程における新装置導入・能力改善プロジェクトの推進
・光デバイス設計/プロセス統括部門との連携による新製品向けエピ構造設計支援
| 職務経験 | 無し |
| キャリアレベル | 中途経験者レベル |
| 英語レベル | ビジネス会話レベル |
| 日本語レベル | ネイティブ |
| 最終学歴 | 大学卒: 学士号 |
| 現在のビザ | 日本での就労許可が必要です |
■必須
・化合物半導体(InP系、GaAs系等)を用いた結晶成長(Epitaxy)または関連工程経験
・結晶評価手法(XRD/PL/SEM/AFMなど)の実務理解
・工程改善・歩留まり改善・異常解析などの生産技術経験(2年以上/修士卒1年以上)
・設備メーカー/装置技術者との技術折衝スキル
・英語での資料作成・メールコミュニケーション対応力(PPT/会議含む)
■歓迎
・MOCVD経験者(MOVPE装置立ち上げ、レシピ設計、保守・校正対応経験)
・MBE(分子線エピタキシ)プロセス経験
・結晶シミュレーションや温度・ガス流動解析等のモデリングスキル
・PythonやMATLAB等によるデータ解析・制御最適化スクリプト開発スキル
・プロセス改善・装置導入などのリーダー経験
| 雇用形態 | 正社員 |
| 給与 | 800万円 ~ 1300万円 |
| 勤務時間 | 09:00 ~ 17:30 |
| 休日・休暇 | 【有給休暇】初年度 22日 4か月目から 【休日】完全週休二日制 祝日 リフレッシュ休暇、育児・介護休暇、バースデー休暇 有給… |
| 業種 | 電気・電子・半導体 |
| 会社の種類 | 外資系企業 |