大阪・技術職求人・デバイス開発エンジニア（GaNパワー半導体）・半導体デバイス開発関連経験者歓迎

【業務内容】

窒化ガリウム（GaN）をはじめとする次世代パワー半導体デバイス、およびインダクタ・コンデンサなどの受動素子に関する研究開発、デバイス設計、プロセス集積技術の開発をご担当いただきます。

主な業務内容

1. GaNを中心とした次世代統合電源デバイスのコンセプト設計、シミュレーションを活用したデバイス設計および性能最適化

2. GaNデバイス、インダクタ、コンデンサなどのプロセス集積技術の開発および改善

3. 新規デバイスの研究開発計画の策定、試作、評価および開発プロジェクトの推進

4. 開発デバイスのデータ解析、不良・故障解析、信頼性評価および品質・性能改善

5. パワー半導体および垂直給電（Vertical Power Delivery）技術に関する市場・技術動向の調査

6. 技術調査や研究成果に基づく新規開発テーマの提案および技術的課題の解決

【福利厚生/休暇】

• 完全週休2日制（土日祝）
• 年末年始休暇
• 年間120日以上休日
• 有給休暇、育児休暇など
• 交通費支給（3万円以下）
• 社会保険、年金、雇用保険加入

【応募資格（必須条件）】

• 半導体、電気・電子工学、マイクロエレクトロニクスなどの関連分野を専攻し、学士号以上の学位をお持ちの方

• パワー半導体市場や関連技術の動向について、情報収集・分析・整理を行う能力をお持ちの方

• 創造性、主体性、柔軟性を備え、新しい技術の習得や課題解決に積極的に取り組める方

• 社内外の関係者と円滑に連携できるコミュニケーション能力およびチームワークをお持ちの方

• 高い職業倫理観と責任感を持って研究開発業務に取り組める方

• 海外出張に対応可能な方

• 中国語：ビジネスレベル以上（流暢にコミュニケーションができる方）

• 日本語：ビジネスレベル

【歓迎条件】

• パワー半導体デバイスの動作原理、電気特性、評価技術に関する2年以上の研究開発経験

• GaN、SiCなどの次世代パワー半導体デバイスに関する設計・開発経験

• パワーデバイスの信頼性評価、故障解析および信頼性改善に関する専門知識・実務経験

• EDAツールを用いた半導体デバイスの設計・シミュレーション経験

• GaNデバイスや受動素子のプロセス集積、統合電源デバイスの開発経験

• 垂直給電技術や高効率電源デバイスに関する研究開発経験

【本ポジションの魅力】

• 先端技術への挑戦： GaNパワー半導体や次世代統合電源デバイスなど、成長が期待される先端技術の研究開発に携われます。

• 幅広い技術領域： デバイス設計からプロセス集積、シミュレーション、信頼性評価まで、一連の研究開発業務に関わることができます。

• グローバルな研究開発環境： 国内外のエンジニアや研究開発チームと連携しながら、専門性を高められる環境です。

• ワークライフバランス： 土日祝日休みの勤務体系です。