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求人ID : 1472799 更新日 : 2024年04月25日
半導体メーカーでの募集です。 LSI・IC・メモリ設計のご経験のある方は歓迎で…

パワーデバイス開発職

採用企業 半導体メーカー
勤務地 東京都 23区
雇用形態 正社員
給与 500万円 ~ 600万円

募集要項

【求人No NJB2216588】
◆業務内容
 化合物半導体を含むパワーデバイス開発

◆仕事内容
 ・Si ディスクリートデバイス企画/開発/評価
 ・化合物半導体パワーデバイス企画/開発/評価
 *弊社はFABレスですので、ウエハファンダリなどとの開発協業になります。

応募必要条件

職務経験 無し
キャリアレベル 中途経験者レベル
英語レベル 日常会話レベル
日本語レベル ネイティブ
最終学歴 専門学校卒
現在のビザ 日本での就労許可が必要です

スキル・資格

◆理系出身者(高専卒または大卒以上) ◆経験・スキル  ・エンジニア歴5年以上  ・パワーデバイス開発経験者が望ましい

勤務地

  • 東京都 23区

労働条件

雇用形態 正社員
給与 500万円 ~ 600万円
勤務時間 09:00 ~ 17:30
休日・休暇 【有給休暇】初年度 10日 4か月目から 【休日】完全週休二日制 土 日 祝日 年末年始 土・日・祝日、慶弔休暇 年末年始(1…
業種 電気・電子・半導体

職種

  • 技術系(電気・電子・半導体) > 設計・開発エンジニア