【C 2】半導体成膜装置の組立・調整～シェアNo1 電子ビーム描画装置メーカー～

【求人No NJB2121728】
【C 2】半導体成膜装置の組立・調整

【業務内容】
〇枚葉式エピタキシャル成長装置（Si/SiC/GaN）を客先へ引き渡すまでの
　下記一連の工程をお任せします

＜自社での作業＞
・部品入荷状況の確認
・組立および作業フォロー　※工具、計測器（オシロスコープなど）利用
・工程データの管理　　　　※PC（Excel）
・電装作業フォロー　　　　※工具利用
・I/Oチェック　　　　　　 ※テスター等利用
・装置立上、検査　　　　　※工具、計測器（オシロスコープなど）利用、PC（Excel）
・完成、検査、出荷許可　　※PC（Excel、PowerPoint等）
・解体、出荷準備　　　　　※工具利用

部品入荷～完成　約１か月半
解体、出荷準備　約２週間

＜国内外の客先へ出張しての作業＞

・現地搬入、据付け　　　　※工具、計測器（オシロスコープなど）利用
・現地立上　　　　　　　　※工具、計測器（オシロスコープなど）利用、PC（Excel）
・検収、客先への引き渡し　※PC（Excel、PowerPoint等）

搬入作業　　　　　約１週間
現地立上げ～検収　約２か月


１つの装置立ち上げにつき４～５名のチームを組み、上記業務を進めます。


〇エピタキシャル成長製造装置の特徴・強み

電気自動車で使用される充電器や、通信技術の5G、6Gなどの基地局はエピタキシャル成長装置で製造されるパワー半導体がなければ急速充電あるいは高速通信ができず、また省エネ、脱炭素推進が可能なものとして注目をされております。

当社エピタキシャル成長装置は下記コア技術によって高品質なエピタキシャル成長層の形成を可能としております。

（１）ウェーハの高速回転による高速かつ均一性の高い成膜
（２）緻密に設計された垂直方向のガスフローによる均一なガス濃度分布
（３）高精度な面状ヒーターに非接触で配置することで高い温度均一性と高速昇降温特性

特に（１）高速回転エピという技術が他社装置にはない独自の強みで、このコア技術により他社を凌駕する性能を出すことに成功しております。

最先端かつ技術の高さで競合他社と差別化ができたため、海外の世界的に有名なメーカーや非常に入手困難な8インチSiCを製造しているメーカーからの注文も増えております。

そのため当社として注力しているかつ、拡大フェーズの製品でシェアを伸ばす一員として関わることが可能です。

またエンジニアとして機械だけではなく材料工学・物性、真空、物理など高度知識が必要となる製品のため、高い技術力を持ったエンジニアに成長することが可能です。