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採用企業 | 株式会社ニューフレアテクノロジー |
勤務地 | 神奈川県 |
雇用形態 | 正社員 |
給与 | 600万円 ~ 1500万円 |
【求人No NJB2121727】
【業務内容】
〇半導体製造装置(エピタキシャル成長装置)のソフトウェアエンジニアとして下記の業務を担当していただきます。
・社内開発設計業務
装置を動作させるPLCソフトウェアの開発設計
装置の動作状況を表示するPCにおけるソフトウェアの開発設計 ※使用言語:VC++、ラダー 等
・社外業務
客先での装置不具合調査、修正対応
客先での装置現地立ち上げ作業
※社外業務は3~4か月に1度、海外も含め2週間の出張が発生します
〇エピタキシャル成長製造装置の特徴・強み
電気自動車で使用される充電器や、通信技術の5G、6Gなどの基地局はエピタキシャル成長装置で製造されるパワー半導体がなければ急速充電あるいは高速通信ができず、また省エネ、脱炭素推進が可能なものとして注目をされております。
当社エピタキシャル成長装置は下記コア技術によって高品質なエピタキシャル成長層の形成を可能としております。
(1)ウェーハの高速回転による高速かつ均一性の高い成膜
(2)緻密に設計された垂直方向のガスフローによる均一なガス濃度分布
(3)高精度な面状ヒーターに非接触で配置することで高い温度均一性と高速昇降温特性
特に(1)高速回転エピという技術が他社装置にはない独自の強みで、このコア技術により他社を凌駕する性能を出すことに成功しております。
最先端かつ技術の高さで競合他社と差別化ができたため、海外の世界的に有名なメーカーや非常に入手困難な8インチSiCを製造しているメーカーからの注文も増えております。
そのため当社として注力しているかつ、拡大フェーズの製品でシェアを伸ばす一員として関わることが可能です。
また現在はエピタキシャル成長製造装置において(1)~(3)のコア技術の動作ソフトの開発に加え、ウェーハの自動搬送システムの新規開発が重要なミッションとなっております。
ウェーハは、日々製造技術が進化しており、従来のサイズより大きくかつ重くなっているため、搬送の難易度が高くなっております。
加えて製造工程でウェーハにごみの付着は品質に大きくかかわるため、人を介さずロボットで搬送をすることで、品質の担保、破損を防ぐことが期待できます。
特に当社のお客様が取り扱うSiCウェーハは、シリコンウェーハと比較して
非常に高価なため、より歩留まりの安定性が求められております。
そのため当社では、お客様の製造装置との連携も含め、自動搬送システムの新規開発を進め、
他社製品との差別化を図っており、これら新技術に開発にかかわることも可能です。
職務経験 | 無し |
キャリアレベル | 中途経験者レベル |
英語レベル | 日常会話レベル |
日本語レベル | ネイティブ |
最終学歴 | 大学卒: 学士号 |
現在のビザ | 日本での就労許可が必要です |
雇用形態 | 正社員 |
給与 | 600万円 ~ 1500万円 |
勤務時間 | 08:45 ~ 17:30 |
休日・休暇 | 【有給休暇】初年度 19日 1か月目から 【休日】完全週休二日制 土 日 祝日 夏季休暇 年末年始 年間休日125日(2021… |
業種 | 電気・電子・半導体 |