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求人ID : 1467828
更新日 :
2024年04月26日
東芝デバイス ストレージ株式会社での募集です。
商品企画・商品開発（技術系）の…
化合物半導体の製品開発・プロセス開発エンジニア（GaNパワー）
| 採用企業 | 東芝デバイス ストレージ株式会社 |
| 勤務地 | 兵庫県 |
| 雇用形態 | 正社員 |
| 給与 | 450万円 ~ 1000万円 |
募集要項
【求人No NJB2116636】
【業務内容】
化合物 パワーデバイス（主にGaN）の製品開発・デバイス設計・プロセス・エピ技術開発
【参考リンク】
・スペシャルインタビュー～あなたのキャリアが世界を変える～
https://toshiba.semicon storage.com/jp/company/recruit/work/message_special.html
・パワー半導体技術広告
https://www.youtube.com/watch?v=11SWvEWe4lQ
応募必要条件
| 職務経験 | 無し |
| キャリアレベル | 中途経験者レベル |
| 英語レベル | 日常会話レベル |
| 日本語レベル | ネイティブ |
| 最終学歴 | 大学卒： 学士号 |
| 現在のビザ | 日本での就労許可が必要です |
スキル・資格
【必須】 ・デバイス設計／プロセス技術／生産技術／歩留改善／パッケージ技術／材料開発／品質保証／評価・解析／製品テスト（いずれかの経験） 【尚可】 （１）デバイス開発（川崎） ・ディスクリート半導体デバイス開発業務の経験のある方。特に化合物半導体に関する知識をお持ちの方は歓迎します ・TCADシミュレーションに関する知識をお持ちの方 （２）プロセス開発（姫路／川崎） ・半導体のプロセス・インテグレーション開発に従事した経験をお持ちの方 ・半導体ウェハー、エピプロセス、装置開発に従事した経験をお持ちの方 ※（）内は想定勤務地 ※上記の必須・尚可条件は担当～課長クラス共通の要件となります。勤務地
- 兵庫県
労働条件
| 雇用形態 | 正社員 |
| 給与 | 450万円 ~ 1000万円 |
| 勤務時間 | 08:30 ～ 17:15 |
| 休日・休暇 | 【有給休暇】入社7ヶ月目には最低10日以上 ※初年度は入社月によって変動。半日取得可、最大24日付与、繰越制度あり。 【休日】… |
| 業種 | 電気・電子・半導体 |
職種
- 技術系（機械・メカトロ・自動車） > 設計・開発エンジニア
- 技術系（電気・電子・半導体） > 設計・開発エンジニア
- 技術系（電気・電子・半導体） > 生産技術・製造技術・エンジニアリング（電気・電子・半導体）
