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求人ID : 1467827
更新日 :
2024年04月26日
東芝デバイス ストレージ株式会社での募集です。
商品企画・商品開発（技術系）の…
化合物半導体の製品開発・プロセス開発エンジニア（SiC）
| 採用企業 | 東芝デバイス ストレージ株式会社 |
| 勤務地 | 兵庫県 |
| 雇用形態 | 正社員 |
| 給与 | 450万円 ~ 1000万円 |
募集要項
【求人No NJB2116632】
【業務内容】
パワーデバイス（主にSiC）の製品開発・デバイス設計・プロセス・エピ技術・装置開発
■製品開発
・デバイス設計・シミュレーション（TCAD）
・試作・性能評価・解析
・量産立上業務
■プロセス開発
・SiCデバイスのプロセスインテグレーション
・SiCデバイスのユニットプロセス開発
・SiCのエピプロセス 装置開発
【参考リンク】
・スペシャルインタビュー～あなたのキャリアが世界を変える～
https://toshiba.semicon storage.com/jp/company/recruit/work/message_special.html
・パワー半導体技術広告
https://www.youtube.com/watch?v=11SWvEWe4lQ
応募必要条件
| 職務経験 | 無し |
| キャリアレベル | 中途経験者レベル |
| 英語レベル | 日常会話レベル |
| 日本語レベル | ネイティブ |
| 最終学歴 | 大学卒： 学士号 |
| 現在のビザ | 日本での就労許可が必要です |
スキル・資格
【必須】 ・製品開発／プロセス開発／生産技術／歩留改善／パッケージ技術／材料開発／品質保証／評価・解析／製品テスト（いずれかの経験） ・デバイス開発は、パワーデバイス（SiC等）のチップ設計、開発に従事された経験のある方 【尚可】 （１）デバイス開発 ・TCADシミュレーションに関する知識をお持ちの方 （２）プロセス開発 ・半導体デバイスメーカでプロセスインテグレーション、あるいはユニットプロセス開発に従事された経験のある方 ・半導体製造装置メーカで装置開発、あるいはプロセス開発に従事された経験のある方 ・半導体ウェハメーカでプロセス開発（特にエピタキシャル成長プロセス）または装置開発に従事された経験のある方勤務地
- 兵庫県
労働条件
| 雇用形態 | 正社員 |
| 給与 | 450万円 ~ 1000万円 |
| 勤務時間 | 08:30 ～ 17:15 |
| 休日・休暇 | 【有給休暇】入社7ヶ月目には最低10日以上 ※初年度は入社月によって変動。半日取得可、最大24日付与、繰越制度あり。 【休日】… |
| 業種 | 電気・電子・半導体 |
職種
- 技術系（機械・メカトロ・自動車） > 設計・開発エンジニア
- 技術系（電気・電子・半導体） > 設計・開発エンジニア
- 技術系（電気・電子・半導体） > 生産技術・製造技術・エンジニアリング（電気・電子・半導体）
