【C 3‐1】半導体成膜装置の成膜プロセス（レシピ）開発～シェアNo1 電子ビーム描画装置メーカー～

【求人No NJB2122540】
■■Position　ご参考■■
ニューフレアテクノロジー社へご興味お持ち頂けるのであれば、お電話にて口頭でポジションについてご説明をさせて頂きます。

■エピタキシャル半導体製造装置（TFW装置：EPIREVO）

【C 3‐1】半導体成膜装置の成膜プロセス（レシピ）開発

【業務内容】
〇エピタキシャル成長製造装置開発の成膜のプロセス開発を行っていただきます。

・シリコン、GaN、SiC膜の成膜方法（レシピ）の開発と測定機による評価
・装置の開発、客先でのデモンストレーション、メンテナンス、トラブル対応
・プロセスに関する客先でのプロセス仕様打合せ、装置立上、客先でのプロセス支援

※海外顧客の場合海外出張いただき、顧客先でレシピの調整を行います


〇エピタキシャル成長製造装置の特徴
（１）ウェーハの高速回転による高速かつ均一性の高い成膜
（２）緻密に設計された垂直方向のガスフローによる均一なガス濃度分布
（３）高精度な面状ヒーターに非接触で配置することで高い温度均一性と高速昇降温特性

上記コア技術が実現することで高品質エピタキシャル成長層の形成を可能としております。

プロセス担当はこれらコア技術が顧客要望通り実現しているかを測定器などを使用して検証し、
エラーの原因はレシピなのかハードなどかを突き詰め改善を行っていきます。

【業務で使用するツール】
・プロセス
測定機操作　（SEM、欠陥検査、膜厚、XRD等）

【入社後お任せしたい業務】
・プロセス
上記業務内容を先輩社員がOJTでついて教育を行いながら、
デモ機をもとに装置の扱い方やレシピの開発・調整方法をキャッチアップいただきます。

【製品・当社の強み】
・電気自動車で使用される充電器や、通信技術の5G、6Gなどの基地局は
　エピタキシャル装置で製造されるパワー半導体がなければ急速充電あるいは高速通信が
　できないため注目されております。
・またパワー半導体は省エネの部分においても、脱炭素推進が可能なものとして
　注目をされております。
・また非常に入手困難な8インチSiCを製造しているメーカーに対して、
　弊社装置を納入できているため、最先端かつ技術の高さで競合他社と差別化ができております。