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求人ID : 1445933 更新日 : 2024年04月29日
大手半導体デバイスメーカーでの募集です。 プロセスエンジニア(半導体)のご経験…

【800~900万円】SiCエピタキシャル成長プロセス開発エンジニア [53044]

採用企業 大手半導体デバイスメーカー
勤務地 愛媛県
雇用形態 正社員
給与 800万円 ~ 900万円

募集要項

【求人No NJB2133826】
【担当技術】
SiCエピタキシャル成長プロセス開発エンジニア

【担当業務】
SiCエピタキシャル成長装置立ち上げ、プロセス条件出し、量産化

【担当職場】
自社前工程国内拠点

応募必要条件

職務経験 無し
キャリアレベル 中途経験者レベル
英語レベル ビジネス会話レベル
日本語レベル ネイティブ
最終学歴 大学卒: 学士号
現在のビザ 日本での就労許可が必要です

スキル・資格

【MUST】 SiCエピタキシャル成長プロセス開発の従事経験が2年以上あること。 【WANT】 4年制大学または大学院にて工学、化学、物理学等を修了していること。

勤務地

  • 愛媛県

労働条件

雇用形態 正社員
給与 800万円 ~ 900万円
勤務時間 08:30 ~ 17:15
休日・休暇 【有給休暇】初年度 23日 1か月目から 【休日】完全週休二日制 土 日 祝日 夏季休暇 年末年始 【有給休暇】入社月に付与(…
業種 電気・電子・半導体

職種

  • 技術系(電気・電子・半導体) > 生産技術・製造技術・エンジニアリング(電気・電子・半導体)