設計・開発職｜半導体の磁性体メモリを担当｜東⼤発スタートアップ企業｜フルフレックス制

≪募集要項・本ポジションの魅力≫

• トポロジカル物質を用いた次世代MRAMの回路設計・レイアウト・評価を担う開発業務
• 東大発ディープテック企業で最先端技術の核心に携わり、将来はマネジメントも目指せる成長機会
• GXに直結する革新的メモリ開発に挑戦でき、社会的インパクトの大きい研究開発が行える魅力
• フルフレックス・在宅可・残業少なめで、自律的に働ける環境と集中しやすい研究開発体制を整備

【業務内容】
新素材「トポロジカル物質」を活⽤した半導体メモリ（MRAM）の研究開発を⾏う当社にて、メモリの回路設計、レイアウト、回路評価をご担当いただきます。
（仕事内容の変更の範囲︓将来的に、ご本⼈の適性により当社業務全般に変更の可能性があります）

• 次世代メモリ（MRAM）の回路設計
• メモリ技術アーキテクチャー設計
• レイアウト設計
• 回路評価（ウエハレベル評価含む）
• MTJの開発・性能向上

■仕事の魅⼒
東⼤発の最先端技術を⽤い、GX（社会課題解決）に直結する次世代メモリ開発のコアを担えます。シリーズA調達済の成⻑フェーズです。将来的にチームマネジメントも担っていただきたいです。

■配属先
メモリ事業部

■当社の魅⼒
当社は「トポロジカル物質」の社会実装を⽬指す東⼤発ディープテック・スタートアップです。J-Startup選定やNEDOのGX事業採択など、国からも⾼い期待を受けています。
働き⽅としては、コアタイムなしのフルフレックスタイム制を導⼊。デスクワークの⽇はテレワークも可能です。平均残業は⽉20時間程度、年間休⽇は120⽇と、先端技術の研究開発に集中しながらも、⾃律的に働ける環境を整備しています。

■当社について
東京⼤学で研究開発されている量⼦⼒学に由来するトポロジカル物資を世の中に実装し、その物性を活かした様々な製品、サービス、研究開発を通じで社会の⾼度化、効率化に役⽴てていくことをミッションとしています。2021年7⽉に設⽴され、これから社内の研究開発を加速していくフェーズにあります。当社の経営陣はスタートアップを上場させた経営者、国内のVC業界で⻑年投資をし数多くの企業を上場まで⽀援した投資家、ノーベル賞級の研究者など様々な背景を持った関係者と緊密に仕事をし、成⻑できる環境です。また、⾃分で全てを決めていく⽴場にあるため、⾮常に⼤きなチャレンジになると思います。

＜トポロジカル物質を⽤いたMRAMの優位性＞
超⾼速での情報の書き込み読み出しが可能︕
＜⽤途事例＞
データセンタやスパコンで利⽤される⾼速メモリに置いて、消費電⼒を劇的に下げるメモリ技術を開発中です。将来は世界中のAIが当社メモリの恩恵を受けて⾼速、⾼効率で世界中で利⽤される世界の実現を⽬指しています。

【雇用形態】
正社員
※試用期間あり、3ヶ⽉（試⽤期間中の勤務条件︓変更無）

【給与】
想定年収：500万円〜800万円
年俸制（分割回数12回）
年俸：5,000,000円〜8,000,000円
（年俸￥5,000,000〜￥8,000,000、基本給￥416,000〜￥666,000を含む/⽉）

【就業時間】
フレックスタイム制（所定労働時間08時間00分（休憩60分）※コアタイム無し
■標準労働時間帯︓09:00〜18:00
■残業有（平均残業時間︓20時間）

【勤務地】
事業所名開発拠点：⼤阪府⼤阪市住之江区南港北2-1-10 ATCビルITM棟 6階M-1-4C
■喫煙環境屋内禁煙（屋内喫煙可能場所あり）
■出張頻度︓本社へ年に数回程度
■転勤当⾯無し
（就業場所の変更の範囲︓当社拠点）
※在宅勤務は上⻑と相談の上で利⽤可能です。

【休日休暇】

• 年間休日120⽇
• 完全週休⼆⽇制
• 有給休暇（⼊社直後10⽇、最⾼付与⽇数20⽇）

【待遇・福利厚生】

• 通勤手当（会社規定に基づき⽀給）
• 社会保険（健康保険、厚⽣年⾦、雇⽤保険、労災保険）

【必須要件】
いずれかお持ちの⽅

• メモリ設計技術（DRAM、MRAM等）
• 電源設計技術
• IF系設計技術
• メモリ評価・信頼性評価技術

【歓迎要件】

• 学会発表（国際、国内）、論⽂投稿の経験

【選考について】

• 採⽤⼈数：1名
• ⾯接回数：2回　※⼀次︓web可能／⼆次︓原則対⾯(応相談)
• 筆記試験︓無